[发明专利]液晶显示器制造方法

摘要

本发明涉及一种液晶显示器制造方法，其包括如下步骤：步骤一，提供一绝缘基底，其包括一薄膜晶体管区、一显示区和一电容区，在该薄膜晶体管区形成栅极，在该电容区形成电容电极；步骤二，在该绝缘基底上依序沉积绝缘层、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并蚀刻掉该显示区和电容区的掺杂非晶硅层、非晶硅层和绝缘层；步骤三，在该薄膜晶体管区形成源极和漏极；步骤四，在该电容区形成钝化层；步骤五，形成像素电极。

主权项

1.一种液晶显示器制造方法，其包括如下步骤：步骤一，提供一绝缘基底，其包括一薄膜晶体管区、一显示区和一电容区，在该绝缘基底上依序沉积一栅极金属层和一第一光阻层；步骤二，以第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后对该栅极金属层进行蚀刻，形成该薄膜晶体管区的栅极和该电容区的电容电极；步骤三，在该基底上依序沉积一绝缘层、一非晶硅层、一掺杂非晶硅层和一第二光阻层；步骤四，以第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后蚀刻掉该显示区和电容区的掺杂非晶硅层、非晶硅层和绝缘层；步骤五，在该基底上依序沉积一源/漏极金属层和一第三光阻层；步骤六，以第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该源/漏极金属层，在该薄膜晶体管区形成源极和漏极；步骤七，在该基底上依序沉积一钝化层和一第四光阻层；步骤八，以第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，保留该电容区的钝化层；步骤九，在该基底上依序沉积一透明金属层和一第五光阻层；步骤十，以第五光罩对该第五光阻层进行曝光，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该透明金属层，在该薄膜晶体管区、该显示区和该电容区形成像素电极，该电容区对应的像素电极、该电容电极和夹在其间的钝化层构成一电容。