[发明专利]快闪记忆卡封装方法无效
| 申请号： | 200610072948.3 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051616A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘钦栋 | 申请（专利权）人： | 刘钦栋 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;G06K19/07;B29C45/14;B29C45/17 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种快闪记忆卡的封装方法，主要是先将已完成电路布置的记忆卡电路基板置入一模具中，再将热固性材料注入前述模具内，再移动电路基板使热固性材料进一步包覆于其周围，最后加热至预定温度及时间使之硬化成型，脱模后成为一个已封装完成的快闪记忆卡成品。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪记忆卡封装方法，其特征在于：所述封装方法的步骤为：a.将至少一电路基板置入模具内；b.将热固性材料注入前述模具中；c.移动电路基板使前述热固性材料包覆其周围及一侧；b.加热成型，形成一快闪记忆卡的外型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘钦栋，未经刘钦栋许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610072948.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超薄双向触发管的制造方法
- 下一篇：时间分集方法、系统和手机电视终端设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
