[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

摘要

一种互补式金属氧化物半导体元件，其包括衬底、第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管、第一应力层、第一衬层与第二应力层。其中，衬底具有第一有源区与第二有源区，且第一有源区与第二有源区之间以隔离结构区隔。另外，第一型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第一有源区，第二型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第二有源区。第一应力层顺应性地配置于第一有源区的第一型金属氧化物半导体晶体管上。第一衬层顺应性地配置于第一应力层上。第二应力层顺应性地配置于第二有源区的第二型金属氧化物半导体晶体管上。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底具有一第一有源区与一第二有源区，且该第一有源区与该第二有源区之间以一隔离结构区隔；分别于该衬底的该第一有源区与该第二有源区形成一第一型金属氧化物半导体晶体管与一第二型金属氧化物半导体晶体管；于该衬底上方形成一第一应力层，顺应性地覆盖住该第一型金属氧化物半导体晶体管、该第二型金属氧化物半导体晶体管与该隔离结构；于该第一应力层上顺应性地形成一第一衬层，其中该第一衬层与该第一应力层具有高蚀刻选择比；于该第一有源区的该第一衬层上形成一第一光致抗蚀剂层；以该第一光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第一衬层至暴露出该第一应力层表面；移除该第一光致抗蚀剂层；以该第一衬层为掩模，移除部分该第一应力层至暴露出该第二型金属氧化物半导体晶体管；于该衬底上方形成一第二应力层，顺应性地覆盖该第二型金属氧化物半导体晶体管与该第一衬层；于该第二有源区的该第二应力层上形成一第二光致抗蚀剂层；以该第二光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第二应力层至暴露出该第一衬层表面；以及移除该第二光致抗蚀剂层。