[发明专利]一种亚光熔块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610074544.8 申请日: 2006-04-27
公开(公告)号: CN101062870A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 张平华 申请(专利权)人: 霍镰泉
主分类号: C04B41/86 分类号: C04B41/86;C03C8/02
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 代理人: 周春发
地址: 528219广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种亚光熔块,所述亚光熔块的化学组分为:SiO2 30~40%,ALO3 13~16%,CaO 6~8%,MgO 3~5%,K2O 0.7~1.5%,NaO2 3~4%,ZnO 2~5%,PbO 1~3%,BaO 6~8%,ZnO2 3~6%,B2O3 2~4%,Li2O 0.2~0.6%,废釉、刮边釉20~30%;所述球磨釉浆细度为0.2~0.5%(325目);本发明还公开了制造上述熔块的方法,其工艺流程如下:原料进厂→检验→按原料组分配比配料→熔制→水淬→检验→包装;所述熔制温度为1500~1600℃。本发明适用范围广、釉面细腻、不易产生色差,可降低成本30%左右。
搜索关键词: 一种 亚光 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种亚光熔块,其特征在于:所述亚光熔块各组分的重量百分比为:SiO2 30~40%,ALO3 13~16%,CaO 6~8%,MgO 3~5%,K2O 0.7~1.5%,NaO2 3~4%,ZnO 2~5%,PbO 1~3%,BaO 6~8%,ZnO2 3~6%,B2O3 2~4%,Li2O 0.2~0.6%,废釉、刮边釉10~30%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍镰泉,未经霍镰泉许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610074544.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top