[发明专利]反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置无效
| 申请号： | 200610080974.0 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101079457A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张正兴;谢荣修;陈国湖;吴景雅;李敏丽 | 申请（专利权）人： | 鋐鑫电光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的发光二极管反射盖形成方法及其结构提供第一、二生胚结构，该第一生胚结构并设有第一开孔图案，并将第二生胚结构设置于第一生胚结构上，而第二生胚结构涂布有一金属结构，最后再使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上，使金属结构即为反射盖孔的孔壁。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 形成 方法 及其 结构 以及 利用 承载 装置 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含：至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；一金属结构于该第二生胚结构上；以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。
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