[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200610084223.6 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101083211A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 蓝邦强;蔡振华;林育信;蔡宗龙;蔡成宗 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，所述方法包括：提供一基底，且在基底上形成一栅极结构，又在栅极结构周围形成一偏间隙壁，在偏间隙壁周围形成一牺牲间隙壁。再者，在栅极结构的两侧形成多个外延层，且外延层位于牺牲间隙壁的外侧，之后去除牺牲间隙壁，并在偏间隙壁外侧的基底中以及外延层中形成多个漏极/源极延伸区。由于本发明的源极/漏极延伸区在选择性外延工艺之后制作，所以选择性外延工艺的高温不会破坏源极/漏极延伸区。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构周围形成偏间隙壁；在所述偏间隙壁周围形成牺牲间隙壁；在所述栅极结构的两侧形成二外延层，且所述外延层位于所述牺牲间隙壁的外侧；去除所述牺牲间隙壁；以及在所述偏间隙壁外侧的所述基底中，以及所述外延层中形成多个漏极/源极延伸区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
