[发明专利]一种照明用氮化镓基发光二极管器件无效
| 申请号： | 200610089074.2 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118937A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：n型衬底(2)；在n型衬底(2)上依次外延生长的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源层(7)；在p型InGaN有源层(7)上制备的p型透明电极(9)；和在n型衬底(2)的背面制备的n型电极(10)。利用本发明，使电子－空穴复合发光区与整个耗尽层基本重合，可提高二极管的发光效率；在降温中制备pn结，可有效地防止In组份的逃逸，大大提高pn结质量；通过npn的叠形生长，可在相同器件体积下实现两个pn结的并联，成倍提高器件功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 照明 氮化 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：n型衬底(2)；在n型衬底(2)上依次外延生长的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源层(7)；在p型InGaN有源层(7)上制备的p型透明电极(9)；和在n型衬底(2)的背面制备的n型电极(10)。
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