[发明专利]多重鳍状场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200610090865.7 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097952A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多重鳍状场效应晶体管，包括衬底、氧化层、导体层、栅氧化层以及掺杂区。衬底被沟渠环绕，且预定形成栅极的区域的衬底中具有至少二鳍状硅层。氧化层配置于沟渠中，且氧化层的顶部表面低于鳍状硅层的顶部表面。导体层配置于预定形成栅极的区域中，导体层的顶部表面高于鳍状硅层的顶部表面。栅氧化层配置于导体层与鳍状硅层之间，且位于导体层与衬底之间。掺杂区配置于导体层两侧的衬底中。本发明还提供多重鳍状场效应晶体管的制作方法。本发明能够避免产生浮置基体效应，且不会有外延工艺所造成的种种问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重鳍状场效应晶体管，包括：一衬底，该衬底被一沟渠环绕，其中预定形成栅极的一区域的该衬底中具有至少二鳍状硅层；一氧化层，配置于该沟渠中，且该氧化层的顶部表面低于该些鳍状硅层的顶部表面；一导体层，配置于该衬底的该区域中，该导体层的顶部表面高于该些鳍状硅层的顶部表面；一栅氧化层，配置于该导体层与该些鳍状硅层之间，且位于该导体层与该衬底之间；以及一掺杂区，配置于该导体层两侧的该衬底中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂德科技股份有限公司，未经茂德科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610090865.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
