[发明专利]快闪存储器的制作方法

摘要

一种快闪存储器的制作方法，此方法是先提供基底，此基底上已形成有多个隔离结构，且隔离结构之间的基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极。移除部分隔离结构，使隔离结构的表面等于或低于基底的表面，而形成沟槽。在基底上形成衬层。在沟槽中形成材料层，材料层的表面高于穿隧介电层的表面。以材料层为掩模，移除部分衬层而至少在穿隧介电层的侧壁上形成间隙壁。移除材料层，并在基底上形成栅间介电层。在栅间介电层上形成导体层。

主权项

1.一种快闪存储器的制作方法，包括：提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；移除部分该隔离结构，使该隔离结构的表面等于或低于该基底的表面，而形成沟槽；在该基底上形成衬层；在该沟槽中形成材料层，该材料层的表面高于该穿隧介电层的表面； 以该材料层为掩模，移除部分该衬层而至少在该穿隧介电层的侧壁上形成间隙壁；移除该材料层；在该基底上形成栅间介电层；并且在该栅间介电层上形成导体层。