[发明专利]浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种浮置栅极的制造方法，先提供基底，基底中已形成有隔离结构，且隔离结构的顶面高于基底顶面，继而在基底上形成掩模层，覆盖住隔离结构。之后，在基底与掩模层中形成沟槽，并在沟槽内壁形成穿隧介电层。接着，在沟槽中填入导体层，导体层的顶面低于隔离结构顶面、高于基底顶面，且导体层表面具有一个凹陷。进而在导体层上的沟槽侧壁形成间隙壁，再以间隙壁为掩模，移除部分导体层，在沟槽侧壁形成浮置栅极。

主权项

1.一种浮置栅极的制造方法，包括提供基底，该基底中已形成有隔离结构，且该隔离结构的顶面高于该基底顶面；在该基底上形成掩模层，覆盖住该隔离结构；在该基底与该掩模层中形成沟槽；在该沟槽中形成导体层，该导体层的顶面低于该隔离结构顶面、高于该基底顶面，且该导体层表面具有凹陷；在该导体层上的该沟槽侧壁形成间隙壁；并且以该间隙壁为掩模，移除部分该导体层，在该沟槽侧壁形成浮置栅极。