[发明专利]快闪存储器的制作方法无效
| 申请号： | 200610108418.X | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118879A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱建隆;曾维中 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器的制作方法，此方法是先提供基底，此基底中已形成有多个隔离结构，且隔离结构之间的基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极。接着，移除部分隔离结构以暴露出浮置栅极。然后，在浮置栅极的侧壁上形成第一间隙壁。继之，在第一间隙壁上形成第二间隙壁。而后，移除部分第一间隙壁、部分第二间隙壁与部分隔离结构，以在穿隧介电层的侧壁上形成第三间隙壁，并且将隔离结构移除至预定的深度。随后，在基底上形成栅间介电层。之后，在栅间介电层上形成导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器的制作方法，包括：提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；移除部分该隔离结构以暴露出该浮置栅极；在该浮置栅极的侧壁上形成第一间隙壁；在该第一间隙壁上形成第二间隙壁；移除部分该第一间隙壁、部分该第二间隙壁与部分该隔离结构，以在该穿隧介电层的侧壁上形成第三间隙壁，并且将该隔离结构移除至预定的深度；在该基底上形成栅间介电层；并且在该栅间介电层上形成导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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