[发明专利]采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610116558.1 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154681A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能有效减少GIDL效应并不改变其电学性质的高压晶体管、其制造方法。该高压晶体管采用非均匀高压栅氧化层，在没有显著改变器件电学特性的情况下，有效地减小了GIDL及其引起的漏电流。为了制得本发明的高压晶体管，在硅衬底表面进行高压阱和扩散源离子注入；生长100埃氧化硅层和淀积500埃氮化硅层；在需要加厚栅氧化层的区域进行光刻和刻蚀形成氮化硅窗口；氧化100埃氧化硅，在沟道形成氧化层台阶；去除氮化硅；氧化500～1000埃氧化硅；淀积多晶硅栅极；栅极的光刻与刻蚀；低掺杂源漏离子注入形成源极；氮化硅侧墙的淀积与刻蚀；源漏离子注入形成源极；制作难熔金属硅化物，淀积金属化前的介质层，刻出接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 均匀 氧化 高压 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用非均匀栅氧化层的高压晶体管，由源极、高压阱、扩散漏并联，并在所述并联区域上表面两端各有一个氮化硅侧墙，所述两侧墙之间夹有上下两层栅极层，上层为多晶硅，下层为氧化层，其特征在于：所述氧化层为非均匀氧化层。
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