[发明专利]用于自对准蚀刻的系统和方法有效
| 申请号： | 200610119024.4 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101192011A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;李雪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42;H01L21/027;H01L29/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 用于自对准蚀刻的系统和方法。根据一个实施例，本发明提供一种用于执行自对准源蚀刻工艺的方法。该方法包括提供基片材料的步骤。该方法还包括形成覆盖至少部分基片材料的可蚀刻氧化物材料层的步骤。可蚀刻氧化物材料层的特征可以在于第一厚度。可蚀刻氧化物材料层包括第一部分、第二部分以及第三部分。第二部分位于第一部分和第三部分之间。该方法另外包括形成覆盖可蚀刻氧化物材料层的多个栅结构的步骤。所述多个结构包括第一结构和第二结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对准 蚀刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于执行自对准源蚀刻工艺的方法，包括：提供基片材料；形成覆盖至少部分所述基片材料的可蚀刻氧化物材料层，所述可蚀刻氧化物材料层的特征在于第一厚度，所述可蚀刻氧化物材料层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；形成覆盖所述可蚀刻氧化物材料层的多个结构，所述多个结构包括第一结构和第二结构，所述第一结构包括第一侧壁，且位于所述第一部分以上，所述第二结构包括第二侧壁，且位于所述第三部分以上，所述第一侧壁面对所述第二侧壁；形成覆盖所述多个结构的多个光致抗蚀剂层，所述多个光致抗蚀剂层包括覆盖所述第一结构的第一光致抗蚀剂层和覆盖所述第二结构的第二光致抗蚀剂层；以第一深度执行第一干法蚀刻工艺，形成覆盖所述第一侧壁的第一聚合物层和覆盖所述第二侧壁的第二聚合物层，除去至少所述第二部分的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以第二深度执行第二干法蚀刻工艺，所述第二深度大于所述第一深度，除去至少所述第二部分的第三厚度；除去所述多个光致抗蚀剂层；以及除去所述第一聚合物层和第二聚合物层。
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