[发明专利]用于DRAM单元和外围晶体管的方法及所产生的结构

摘要

一种用于制造DRAM单元例如动态随机存取存储单元的方法。该方法包括提供例如硅晶片的半导体衬底。该方法包括形成多个NMOS晶体管栅结构。所述NMOS栅结构中的每个包括NMOS源区和NMOS漏区。该方法包括形成多个PMOS栅结构。所述PMOS栅结构中的每个包括PMOS源区和PMOS漏区。所述NMOS栅结构形成在P型阱区上，而所述PMOS栅结构形成在N型阱结构上。间层电介质层在所述栅结构中的每个上面同时填充所述NMOS栅结构中的两个或更多个之间的间隙。

主权项

1.一种用于制造动态随机存取存储器DRAM单元的方法，该方法包括：提供半导体衬底；形成多个NMOS晶体管栅结构，所述NMOS栅结构中的每个包括NMOS源区和NMOS漏区，形成多个PMOS栅结构，所述PMOS栅结构中的每个包括PMOS源区和PMOS漏区，所述NMOS栅结构形成在P型阱区上，而所述PMOS栅结构形成在N型阱区上；在所述NMOS栅结构中的每个上面、在所述PMOS栅结构中的每个上面、在每个所述PMOS栅结构的PMOS源区和PMOS漏区上面、以及在每个所述NMOS栅结构的NMOS源区和NMOS漏区上面形成毯式氮化物层，所述氮化物层在所述NMOS栅结构中的每个上以及所述PMOS栅结构中的每个上形成侧壁间隔物；在所述氮化物层上面形成毯式氧化物层，所述毯式氧化物层覆盖整个所述氮化物层；去除每个所述PMOS栅结构的PMOS源区和PMOS栅区上的所述氮化物层上面的、以及每个所述NMOS栅结构的NMOS源区和NMOS栅区上的所述氮化物层上面的所述氧化物层的部分，以在所述NMOS栅结构和PMOS栅结构中的每个上形成氧化物间隔物。使用第一掩模结构在所述P型阱区上面的所述NMOS栅结构上面形成第一保护层；使用至少所述NMOS栅结构和所述PMOS栅结构中的每个上的所述氧化物间隔物作为阻挡结构，将P型杂质注入与所述PMOS栅结构中的每个相关联的所述PMOS源区和所述PMOS漏区中；去除所述NMOS栅结构上面的所述第一保护层；使用第二掩模结构在所述PMOS栅结构上面形成第二保护层，所述PMOS栅结构在所述N型阱区上；将N型杂质注入至每个所述NMOS晶体管中的所述NMOS源区和所述NMOS漏区中；选择性地去除所述氧化物间隔物，同时暴露所述氮化物层，以将所述NMOS栅结构中的两个或更多个之间的间隔增大至预定宽度；形成间层电介质层，所述间层电介质层在所述栅结构中的每个上面，同时填充所述NMOS栅结构中的两个或更多个之间的间隙；并且对所述间层电介质层执行蒸汽退火，以完成所述间层电介质层，使其中没有任何间隙。