[发明专利]形成金属凸块的方法有效
| 申请号： | 200610126237.X | 申请日： | 2006-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101131949A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽;刘志华 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于提供一种形成金属凸块的方法，包括以下步骤：提供一设有数个导电焊垫的基板；在该基板上形成第一光阻层，该第一光阻层覆盖在导电焊垫上；进行平坦化，以移除部分第一光阻层至暴露出导电焊垫；在第一光阻层和导电焊垫上形成导电层；在导电层上电镀金属层；在金属层上形成图案化的第二光阻层；以该图案化的第二光阻层为屏蔽移除未被该第二光阻层所覆盖的金属层与导电层；移除该第二光阻层；以及在基板上形成防焊层，其中防焊层具有数个开口以露出位于该等导电焊垫上的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属凸块的方法，包括：提供一基板，其上设有数个导电焊垫；在该基板上形成第一光阻层，该第一光阻层覆盖在该等导电焊垫上；进行平坦化，以移除部分该第一光阻层至暴露出该等导电焊垫；在该第一光阻层以及该等导电焊垫上形成一导电层；在该导电层上电镀一金属层；在该金属层上形成一图案化的第二光阻层；以该图案化的第二光阻层为屏蔽(Mask)移除未被该图案化之第二光阻层所覆盖的金属层与导电层；移除该图案化的第二光阻层；以及在该基板上形成一防焊层，其中该防焊层具有数个开口以露出位于该等导电焊垫上的该金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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