[发明专利]一种纳米－微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200610137609.9 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101172857A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹茂盛;林海波;金海波 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米－微米双尺度晶粒复合锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的制备方法。其制备方法是以纳米、微米PZT预烧陶瓷粉体为原料，先将纳米、微米PZT粉体充分混合均匀，在体系中添加聚乙烯醇溶液再进行球磨搅拌，通过干燥粉碎、细磨过筛、干压成型后，在500－600℃排胶，900－1200℃烧结2－5小时，再进行切割加工、极化老化后，得到双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷。该陶瓷与传统压电陶瓷相比，制备工艺简单、成本低。特别是，这种纳米－微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的压电性能稳定、力学性能明显强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 微米 尺度 晶粒 复合 pzt 压电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米-微米双尺度晶粒复合锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的制备方法，其特征在于：将具有特殊表面效应的纳米PZT晶粒与微米晶粒间形成纳米-微米相互嵌套，得到纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷；通过烧结控制晶粒长大的不同速度，提高PZT陶瓷的致密度，改善力学性能。
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