[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200610142261.2 | 申请日: | 2006-10-10 |
公开(公告)号: | CN101075612A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 黄旷兆;崔熙东;朴宰希 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括第一基板和第二基板。每个基板都可以细分为接触区和像素区。位于第一基板的接触区和像素区中的每一个中的导电元件的高度可以基本相同。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种发光器件,该发光器件包括:第一基板,该第一基板包括接触区和像素区;信号线,其设置在所述第一基板上,以限定所述接触区和所述像素区,所述信号线包括多条扫描线、至少一条第一电力线、以及多条第二电力线;栅绝缘层,其设置在所述信号线上,所述栅绝缘层包括暴露出所述多条第一电力线的一部分的第一通孔、以及暴露出所述多条第二电力线的一部分的第二通孔;第一接触层,其设置在所述栅绝缘层的所述接触区上;半导体层,其设置在所述栅绝缘层的所述像素区上;第二接触层,其设置在所述第一接触层上;源极和漏极,其设置在所述半导体层的一部分上;第一金属线,其通过所述第一通孔连接在所述第二接触层和所述第一电力线之间;以及第二金属线,其通过所述第二通孔连接在所述漏极和所述第二电力线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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