[发明专利]制造快闪存储器件的方法

摘要

一种制造快闪存储器件的方法，其中在半导体衬底上顺序形成蚀刻防止层、第一和第二层间绝缘层以及第一、第二和第三硬掩模层。蚀刻第三硬掩模层以暴露第二硬掩模层上的部分区域。在整个表面上形成线形的光刻胶图案，使得暴露的光刻胶图案比暴露第二硬掩模层的区域更窄。利用光刻胶图案作为掩模蚀刻第二硬掩模层。利用光刻胶图案作为掩模蚀刻第一硬掩模层，和利用保留的第三和第二硬掩模层作为掩模蚀刻第二和第一层间绝缘层，从而形成方形的漏极接触孔。利用保留的第二和第一硬掩模层作为掩模来蚀刻蚀刻防止层，由此暴露半导体衬底的预定区域和打开漏极接触孔。因此可改善发生在触点之间的桥。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括步骤：在半导体衬底上顺序形成蚀刻防止层、第一和第二层间绝缘层以及第一、第二和第三硬掩模层；蚀刻第三硬掩模层以暴露在第二硬掩模层上的部分区域；在整个表面上形成线形的光刻胶图案，以使暴露的光刻胶图案比暴露第二硬掩模层的区域更窄，然后利用光刻胶图案作为掩模来蚀刻第二硬掩模层；利用光刻胶图案作为掩模来蚀刻第一硬掩模层，然后利用保留的第三和第二硬掩模层作为掩模来蚀刻第二和第一层间绝缘层，从而形成方形的漏极接触孔；和利用保留的第二和第一硬掩模层作为掩模来蚀刻蚀刻防止层，由此使半导体衬底的预定区域暴露和打开漏极接触孔。