[发明专利]半导体结构的形成方法及电阻有效
| 申请号： | 200610145740.X | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101068007A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 俞正明;赵治平;张智胜;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法及电阻，特别涉及一种去耦合浅掺杂源/漏极区和袋状注入区的形成方法。上述方法包括：提供一半导体晶片，其包含多个主动区。于上述主动区中形成多个栅极结构。利用一N－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个N－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上。利用一N－袋状注入光罩，形成多个N－袋状注入区于上述半导体晶片上。利用一P－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个P－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上；以及利用一P－袋状注入光罩，形成多个P－袋状注入区于上述半导体晶片上。本发明所提供的半导体结构的形成方法及电阻，可以降低模拟MOS元件之间的失配，并提升其本征增益。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括下列步骤：提供一半导体晶片，其包含多个主动区；于该主动区中形成多个栅极结构；利用一N-浅掺杂源/漏极光罩，形成多个N-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；利用一N-袋状注入光罩，形成多个N-袋状注入区于该半导体晶片上，其中N-袋状注入区为p型，以及其中该N-浅掺杂源/漏极光罩与该N-袋状注入光罩为不同光罩；利用一P-浅掺杂源/漏极光罩，形成多个P-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；以及利用一P-袋状注入光罩，形成多个P-袋状注入区于该半导体晶片上，其中P-袋状注入区为n型，以及其中该P-浅掺杂源/漏极光罩与该P-袋状注入光罩为不同光罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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