[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610145973.X | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101071787A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 赵挥元;金正根;金奭中 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的预定区域至形成沟槽。在整个表面上形成第一绝缘层和第二绝缘层，使沟槽被间隙填充。抛光第一和第二绝缘层，直至暴露衬底的上表面。实施低选择性湿蚀刻过程，使得在剥离第二绝缘层的同时，部分第一绝缘层保留在沟槽的侧面上。在整个表面上形成第三绝缘层，使沟槽被间隙填充，由此形成隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的预定区域至形成沟槽；在沟槽内和半导体衬底上提供第一绝缘层，以至少部分填充沟槽，第一绝缘层在沟槽开口处具有悬垂物；在沟槽内和第一绝缘层上提供第二绝缘层；移除第二绝缘层和第一绝缘层的悬垂物；和在沟槽内和第一绝缘层上提供第三绝缘层以形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
