[发明专利]浅沟槽隔离成形工艺有效
| 申请号： | 200610147949.X | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211816A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴佳特;邬瑞彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种浅沟槽隔离成形工艺，包括：有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；介电抗反射膜沉积；有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；支撑件氧化、沉积及蚀刻；STI蚀刻；沟道内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。采用本发明的技术方案，通过有源区的软蚀刻来形成坡度，使得在进行STI蚀刻成形时能容易地获得均匀的圆形顶角，避免了现有技术中复杂的STI蚀刻步骤以及多次地Liner Oxidation步骤，降低了成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 成形 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离(STI)成形工艺，包括：有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；介电抗反射膜沉积；有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；支撑件氧化、沉积及蚀刻；STI蚀刻；沟道内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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