[发明专利]0.35微米HV－BICMOS制造工艺有效
| 申请号： | 200610148785.2 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101211830A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 邵华;乔琼华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王月珍 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种0.35微米HV－BICMOS制造工艺，包括CMOS工艺步骤，还包括在CMOS的P阱外形成一个N型埋层及N型深阱的步骤。N型埋层及N型深阱制作步骤；有源区制作步骤；双阱制作步骤；CMOS栅和电容制作步骤；NMOS和PMOS LDD结构以及双极型NPN发射器的形成步骤；金属层之间连线的制作和钝化层的制作步骤。采用本发明的技术方案，提供一种0.35微米HV－BICMOS工艺，能和0.35微米以下的标准工艺很好地兼容、制造工艺简单并且双极器件特性良好从而提高系统集成度同时提高产品地研发速度，并降低产品的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 0.35 微米 hv bicmos 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种0.35微米HV-BICMOS制造工艺，包括CMOS工艺步骤，其特征在于，还包括在CMOS的P阱外形成一个N型埋层及N型深阱的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
