[发明专利]引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构

摘要

本发明一种引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，是连接芯片的第一、二焊垫的导线上边结合一绝缘层；绝缘层的上边结合一导电层，多数个导线与导电层之间形成类似微带传输线的信号传输结构，使导线的特性阻抗与导线的长度及传输信号的角频率无关，可用以传输高频信号。

主权项

1.一种引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，是用以提高连接芯片的第一焊垫及第二焊垫的导线的传输信号的频率，其特征在于包括；一芯片，具有电子讯处理功能，并具有多数个第一焊垫及多数个第二焊垫；多数条导线，每一条该导线的两端分别连接一该第一焊垫及一该第二焊垫；一绝缘层，与该芯片相结合；该多数条导线被三明治式的夹于该绝缘层与该芯片之间；该绝缘层具有与每一该第二焊垫相对应的第一穿透孔；一导电层，与该绝缘层相结合；该绝缘层被三明治式的夹于该导电层与该芯片之间；该导电层具有与该芯片的每一第二焊垫相对应的第二穿透孔，俾使每一该第二焊垫透过相对应的该第一穿透孔、该第二穿透孔与外部的导线电气连接；其中该导电层用以电气连接提供该芯片工作的电力输入端的高电位端或接地端其中的一者，使该多数条导线与该导电层之间形成类似微带传输线的信号传输结构。