[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种允许高集成度的非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括多个第一控制栅电极，各个第一控制栅电极形成得凹入半导体基底内。多个第二控制栅电极以这样的方式形成，使得各个第二控制栅电极设置在多个第一控制栅电极的两个相邻的部分之间。所述多个第二控制栅电极形成于半导体基底上，在多个第一控制栅电极上方。多个第一存储节点膜分别设置在半导体基底和多个第一控制栅电极之间。多个第二存储节点膜分别设置在所述半导体基底和所述多个第二控制栅电极之间。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：多个第一控制栅电极，各个第一控制栅电极形成得凹入半导体基底内；多个第二控制栅电极，各个第二控制栅电极设置在两个相邻的多个第一控制栅电极之间，并且以设置在所述多个第一控制栅电极上方的方式而形成于所述半导体基底上；多个分别设置在所述半导体基底和多个第一控制栅电极之间的第一存储节点膜；以及多个分别设置在所述半导体基底和多个第二控制栅电极之间的第二存储节点膜。