[发明专利]垂直磁记录介质和磁存储设备无效
| 申请号： | 200610167039.8 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101118752A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 乡家隆志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/70;G11B5/716;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟;迟军 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直磁记录介质和磁存储设备。该垂直磁记录介质设置有：基板；设置在所述基板的表面上的软磁衬层；设置在所述软磁衬层上的取向控制底层；以及设置在所述取向控制底层的上方并具有与所述基板的所述表面近似相垂直的易磁化轴的记录层。所述记录层由具有HCP晶体结构的铁磁性材料制成。所述取向控制底层由具有FCC晶体结构并以NiCr或NiCu作为主要成分的非磁性材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质包括：基板；设置在所述基板的表面上的软磁衬层；设置在所述软磁衬层上的取向控制底层；以及设置在所述取向控制底层的上方并具有与所述基板的所述表面近似相垂直的易磁化轴的记录层，其中所述记录层由具有密排六方晶体结构的铁磁性材料制成，并且所述取向控制底层由具有面心立方晶体结构并以NiCr或NiCu作为主要成分的非磁性材料制成。
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