[发明专利]晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列有效
| 申请号： | 200610173268.0 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150133A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张毅敏;谢佳达;陆湘台 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;G11C16/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种2－晶体管(2T)非易失性存储器单元，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管以及第二晶体管分别具有：源极以及漏极，由其间的沟道所分开；在该沟道上方靠近该源极端的浮置栅极；以及在该浮置栅极及该沟道上方靠近该漏极端的控制栅极。第一以及第二晶体管的源极、浮置栅极、以及控制栅极分别互相连接。此外，第二晶体管的驱动能力大于第一晶体管的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 非易失性存储器 单元 及其 相关 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种2-晶体管非易失性存储器单元，包括：第一晶体管，其具有源极以及漏极，由其间的沟道所分开；在该沟道上方靠近该源极端的浮置栅极；以及在该浮置栅极及该沟道上方靠近该漏极端的控制栅极，以及第二晶体管，其具有源极以及漏极，由其间的沟道所分开；在该沟道上方靠近该源极端的浮置栅极；以及在该浮置栅极及该沟道上方靠近该漏极端的控制栅极，其特征在于，该第一以及该第二晶体管的该源极、该浮置栅极、以及该控制栅极分别互相连接且该第一晶体管的驱动能力低于该第二晶体管的驱动能力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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