[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：一半导体衬底；一叠置栅极，位于半导体衬底上；一应力源，邻接该叠置栅极，且至少有一部分设于半导体衬底中。其中该应力源包含一元素，可用来调整应力源的晶格常数。该应力源包括一较低部分及一较高部分，其中该元素在较低部分占第一原子比例，在较高部分占第二原子比例，且第二原子比例实质上大于第一原子比例。本发明的半导体器件的形成方法利用低锗的SiGe区，可使缺陷区高于空乏区，减少缺陷落入空乏区，从而可降低漏电流。另外SiGe区的底部维持在沟道区下方，可避免低锗SiGe应力区的压力对沟道区产生不良的影响。

主权项

1.一种半导体器件，包括一半导体衬底；一叠置栅极，位于该半导体衬底上；以及一应力源，邻近于该叠置栅极，且至少一部分设于该半导体衬底中，其中该应力源包含一元素，该元素具有一不同于该半导衬底的晶格常数，且其中该应力源包括：一较低部分，其中该元素占一第一原子比例，以及一较高部分，其中该元素占一第二原子比例，且该第二原子比例实质上大于该第一原子比例。