[实用新型]真空腔的改进结构无效
| 申请号： | 200620119833.0 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN200983358Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘相贤 | 申请（专利权）人： | 联萌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/00;C23F4/00;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种真空腔的改进结构，用于半导体机台的晶圆定位，其中该机台所使用的载盘，可共用于沉积制程机台与蚀刻制程机台，当用于蚀刻制程机台时，可以提供较精准的晶圆定位。此改进的真空腔中包括一制程室、一承载装置、一晶圆载盘、以及一绕环。承载装置设置于制程室内。晶圆载盘设置于承载装置上，且晶圆载盘之顶面具有一环状凹槽。绕环可以选择性设置于环状凹槽中。本实用新型沉积制程机台与蚀刻制程机台的载盘能够共用，则显然可以节省制造成本，另外，在蚀刻制程时可以解决晶圆定位不精准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 改进 结构 | ||
【主权项】：
权利要求书1.一种真空腔的改进结构，其中包括：一制程室；一承载装置，设置于该制程室内；一晶圆载盘，设置于该承载装置上，其特征在于，该晶圆载盘具有一环状凹槽；一绕环，选择性地设置于该环状凹槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
