[实用新型]光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置无效
| 申请号： | 200620161666.6 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN200992589Y | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 钟毅;钟鸣 | 申请（专利权）人： | 钟毅 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250021山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。它解决了目前人工晶体的生成装置温度控制精度低，含氘量易受影响等问题，具有结构简单，使用方便，能有效保证晶体生成所需的氘量，并能提高温控精度等优点。其结构为：它有外壳，其内设有晶体生成容器，所述晶体生成容器为透明容器，在其外壁上布满反射层，在透明容器底部设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光浴法 培育 质量 高氘量 dkdp 晶体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，它有外壳(1)，其内设有晶体生成容器，其特征是：所述晶体生成容器为透明容器(2)，在其外壁上设有反射层(3)，其底部则设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。
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