[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200620175515.6 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN200993968Y | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张正兴;谢荣修;陈国湖;李敏丽 | 申请（专利权）人： | 鑫电光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型的发光二极管至少包含有：一具有承载部的陶瓷底座、至少一金属反射层、至少一发光芯片以及封装体，其金属反射层印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部，该发光芯片设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接，并于承载部中设置封装体以完成发光二极管的结构，该发光二极管发出的光线可藉该金属反射层形成光线反射效果，并利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于，其至少包含有：一陶瓷底座，具有一可供容置金属反射层以及发光芯片的承载部；至少一金属反射层，印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部；至少一发光芯片，设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接；封装体，封装于承载部中。
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