[发明专利]表面波激发等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200680001834.8 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101099419A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木正康;猿渡哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种表面波激发等离子体处理装置，其可一直维持以大面积生成均匀的等离子体。此表面波激发等离子体处理装置的等离子源(10)包括：微波产生装置、微波导波管(12)、以及介电体块(13)，等离子源(20)亦同样包括：微波产生装置、微波导波管(22)、以及介电体块(23)。于腔室(1)的盖体(3)上，并列安装有微波导波管(12、22)，并将介电体块(13、23)配设于腔室(1)内。使反射板(30)设于介电体块(13)与(23)之间，以阻止传播于介电体块(13、23)内的电磁波(微波)作为反射波而相互进入。藉此，独立控制等离子源(10、20)。又，于介电体块(13、23)的外周部配设有侧反射体(40)，以形成传播于介电体块(13、23)内的电磁波的驻波，并以大面积均匀地形成表面波SW的驻波模式。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 激发 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种表面波激发等离子体处理装置，其特征在于具备有：两台或两台以上等离子源部，上述等离子源部，包括：微波产生部，其产生微波；微波导波管，其将来自上述微波产生部的微波导入，并于管内传播；槽孔天线，其为配置于上述微波导波管H面的具有设定形状的开口部；及介电体部件，其从上述微波导波管的槽孔天线导入微波并形成表面波，藉此生成表面波激发等离子体；以及反射板，设置于上述两个或两个以上被并列设置的各介电体部件的相邻侧面之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所，未经株式会社岛津制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680001834.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
