[发明专利]包括环状栅沟槽的功率半导体器件无效
| 申请号： | 200680002755.9 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101107717A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 马凌;R·特纳;A·I·阿马莉 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括环状栅沟槽的功率半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 环状 沟槽 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，该器件包括：第一导电率的漂移区；覆盖所述漂移区的第二导电率的基区；穿过所述基区延伸到所述漂移区的多个环状沟槽；形成在邻近所述基区的每个环状沟槽中的栅绝缘层；位于每个环状沟槽中的栅电极。
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