[发明专利]环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途有效
| 申请号： | 200680003726.4 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101111501A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 原大治;高森真由美 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;C23C16/42;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。 | ||
| 搜索关键词： | 环状 硅氧烷 化合物 含硅膜 形成 材料 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种含硅膜形成材料，其含有下述通式(1)表示的环状硅氧烷化合物，[化1]式中，A表示包含选自氧原子、硼原子和氮原子中的至少一种的基团，R1 表示氢原子或烃基，n表示1或2，x表示2～10的整数。
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