[发明专利]具有电流密度增强层的薄膜电阻有效
| 申请号： | 200680004973.6 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101647075A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 埃尼尔·K·奇恩萨肯迪;埃贝内泽尔·E·爱顺 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01C1/012 | 分类号： | H01C1/012 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄膜电阻器件及其制造方法，包括薄膜导电材料(20)和电流密度增强层(CDEL)。CDEL是适合于粘附在薄膜导电材料(20)上的绝缘材料并且其使得所述薄膜电阻能承载更高的电流密度同时减小阻抗偏移。在一个实施方式中，薄膜电阻器件包括形成于薄膜导电材料(20)一侧(上侧或下侧)上的CDEL层(50)。在第二实施方式中，两个CDEL层形成于薄膜导电材料(20)的两侧(上侧和下侧)上。该电阻器件可以作为BEOL和FEOL工艺的一部分而被制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流密度 增强 薄膜 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体电路结构的薄膜电阻，包括：具有阻抗值的导体材料薄膜层(20)；形成于所述导体材料薄膜层(20)一侧上的电流密度增强层、即CDEL(50)，其中，所述电流密度增强层(50)使得所述薄膜电阻能承载更高的电流密度同时减小了阻抗偏移。
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