[发明专利]移位寄存器电路无效
| 申请号： | 200680009086.8 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101147202A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | S·C·迪恩 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/18 | 分类号： | G11C19/18;G11C19/28;G09G3/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 移位寄存器电路的每一级包括：连接到前级的输出的第一输入(Rn－i)；用于将第一时钟控制电源线电压(Pn)耦合到该级的输出(Rn)的驱动晶体管(Tdrive)；用于补偿驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C－i)；连接在驱动晶体管的栅极与该级的输出(Rn)之间的第一自举电容器(C2)；以及用于对第一自举电容器(C2)进行充电并由第一输入(Rn－i)控制的输入晶体管(T，ni)。每一级具有耦合到比该级前两级(或更多级)的那一级的输出(Rn－2)的输入部分(10)，该输入部分包括连接在输入晶体管(T，ni)的栅极与第一输入(Rn－i)之间的第二自举电容器(C3)。使用两个自举电容器使得该电路对于阈值电压电平或变化较不敏感，并且能够利用非晶硅工艺来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种包括多级的移位寄存器电路，每一级包括：连接到前级的输出的第一输入(Rn-1)；用于将第一时钟控制电源线电压(Pn)耦合到该级的输出(Rn)的驱动晶体管(Tdrive)；用于补偿所述驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C1)；连接在所述驱动晶体管的栅极与该级的输出(Rn)之间的第一自举电容器(C2)；以及用于对所述第一自举电容器(C2)进行充电并由所述第一输入(Rn-1)控制的输入晶体管(Tin1)，其中每一级还包括耦合到比该级前两级或更多级的那一级的输出(Rn-2)的输入部分(10)，并且其中所述输入部分包括连接在所述输入晶体管(Tin1)的栅极与所述第一输入(Rn-1)之间的第二自举电容器(C3)。
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