[发明专利]半导体器件、其制造方法、及其测量方法有效

专利信息
申请号: 200680010414.6 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN101151544A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 鹤目卓也;浅野悦子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体器件,能够容易地进行物理测试,而没有使特性退化。根据半导体器件的测量方法,用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封提供有包括终端部分的测试元件的元件层;去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜,以形成触及所述终端部分的接触孔;用含有导电材料的树脂填充所述接触孔;在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充用的树脂上之后,实施加热,使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片经由含导电材料的所述树脂电连接起来;以及实施测量。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 及其 测量方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的测量方法,其中用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的测试元件的元件层密封,该测量方法包括以下步骤:去除所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔;用含导电材料的树脂填充所述接触孔;在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后,实施加热,使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含有导电材料的所述树脂电连接起来;以及通过使用所述布线基片测量所述测试元件的电特性。
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