[发明专利]分裂栅极多位存储单元无效
| 申请号： | 200680010627.9 | 申请日： | 2006-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101151734A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | W·郑 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/28;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有控制栅极(220)用来控制沟道区域(208)中间部分的多位存储单元(200)，提供了包括于较小电压和电流之较快速编程的改良的操作。存储单元(200)包括扩散至衬底(202)中的源极(204)漏极(206)，在源极漏极间形成沟道区域(208)。第一电荷储存层(214)、第二电荷储存层(216)和控制栅极(220)形成在衬底(202)上沟道区域(208)之上，栅极(218)形成在源极(204)、漏极(206)、第一与第二电荷储存层(214、216)及控制栅极(220)之上。电介质材料(210、212、224、226、228)将源极(204)和漏极(206)与栅极(220)分离，并将控制栅极(220)与第一电荷储存层(214)、第二电荷储存层(216)和栅极(218)分离。 | ||
| 搜索关键词： | 分裂 栅极 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(200)，包括：源极(204)和漏极(206)，扩散至衬底(202)中，该源极(204)和该漏极(206)之间具有沟道区域(208)，该沟道区域(208)的中点位于距该源极(204)和该漏极(206)相等距离处；第一电荷储存层(214)和第二电荷储存层(216)，形成在该衬底(202)上该沟道区域(208)之上；栅极(218)，形成在该源极(204)、该漏极(206)、该第一电荷储存层(214)和该第二电荷储存层(216)之上；控制栅极(220)，形成在该沟道区域(208)的该中点之上，用以控制该沟道区域的中间部份，该控制栅极(220)位于该第一电荷储存层(214)和该第二电荷储存层之间距二者相等距离处，并位于该栅极(218)的下方；以及电介质材料(210、212、224、226、228)，将该源极(204)与该栅极(218)分离，将该漏极(206)与该栅极(218)分离，及将该控制栅极(220)与该第一电荷储存层(214)、该第二电荷储存层(216)和该栅极(218)分离。
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