[发明专利]制造半导体瓷组合物的方法有效
| 申请号： | 200680011048.6 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101160270A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;寺尾公一;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01L37/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨本良;文琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种制造方法，该方法可提供半导体瓷组合物，其可在不使用Pb的情况下在正方向上改变居里温度，并具有显著降低的室温下电阻系数，本发明还提供了一种制造半导体瓷组合物的方法，其即使在具有相对大和厚的形状的材料中仍可提供直到材料内部的均匀性质。一种制造由具有组成式[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1－yRy)1－x]TiO3的半导体瓷组合物的方法，其中R是La、Dy、Eu、Gd、Y中的至少一种，并且x和y各自满足0＜x≤0.14和0.002＜y≤0.02，该方法包括在氧气浓度等于或小于1％的惰性气氛中进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有组成式[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3的半导体瓷组合物的方法，其中R是La、Dy、Eu、Gd和Y中的至少一种元素，并且x和y各自满足0＜x≤0.14和0.002＜y≤0.02，所述方法包括在氧气浓度等于或小于1％的惰性气氛中进行烧结。
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