[发明专利]清洗介电薄膜的设备及方法有效
| 申请号： | 200680013354.3 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101511497A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | X·付;J·弗斯特;W·W·王 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B6/00 | 分类号： | B08B6/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是提供一清洗介电薄膜的设备及方法。于一实施例中，清洗介电薄膜的设备包括：一腔室主体，是适以将一基材支撑于其内；一远端等离子源，是适以提供多个反应性自由基至腔室主体；一通道，将远端等离子源耦接至腔室主体；及至少一磁铁，设置于邻近通道处。另一实施例中，清洗一介电薄膜的方法包括：提供一基材，而基材设置于制程室内，并具有至少部分暴露的介电层；于一远端等离子源内产生多个反应性自由基；将反应性自由基由远端等离子源经过一通道流入制程室，且通道具有至少一磁铁设置于邻近该通道处；以及利用磁性过滤通过通道的反应性自由基。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于清洗一介电薄膜的设备，包括：一腔室主体，是适以将一基材支撑于该腔室主体内；一远端等离子源，是适以提供多个反应性自由基至该腔室主体；一通道，是将该远端等离子源耦接至该腔室主体；以及至少一磁铁，设置于邻近该通道处。
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