[发明专利]存储器结构及其编程方法有效
| 申请号： | 200680013713.5 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101501781A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李驰楠 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明了一种存储器和对存储器件进行编程的方法。所述方法包括：选择要编程的单元(32)，其中所述单元与位线耦接；施加第一编程脉冲(34)，其中第一编程脉冲包括施加第一电压到所述位线；验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程(36)；以及如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中第二编程脉冲包括施加第二电压到所述位线，其中第二电压与第一电压不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于对存储器件进行编程的方法，该方法包括：选择要编程的单元，其中所述单元与位线耦接；施加第一编程脉冲，其中施加第一编程脉冲包括施加第一电压到所述位线；验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程；以及如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中施加第二编程脉冲包括施加第二电压到所述位线，其中第二电压与第一电压不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680013713.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
