[发明专利]曝光装置、基板处理方法、以及器件制造方法有效
| 申请号： | 200680014495.7 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101167162A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 藤原朋春;中野胜志 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 曝光装置(EX)，具备用以检测形成于基板(P)上的薄膜(Rg，Tc)缺陷的检测装置(60)。当为经由液体(LQ)使基板(P)曝光的液浸曝光的情形，可预先检测薄膜(Rg，Tc)缺陷所导致的液体流出，抑制器件生产性的降低，防止曝光装置的障碍的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 处理 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，对形成有薄膜的基板照射曝光用光以使上述基板曝光，其特征在于，具备：用以检测上述基板上的薄膜形成状态的检测装置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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