[发明专利]硅的制造方法有效
| 申请号： | 200680016926.3 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101175694A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 若松智;小田开行 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及将三氯硅烷的一部分转换成制造太阳能电池级硅，制造太阳能电池级硅，同时制造半导体级硅的硅制造法。提供一种在利用蒸镀法由三氯硅烷制造硅时，从制造三氯硅烷的氯硅烷循环体系中除去污染物质的对工业有利的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.硅的制造方法，其特征在于，包括以下工序：半导体级硅生成工序，其中，将三氯硅烷的蒸气与氢气一起供给到包含加热基体的析出反应器内，在该加热基体上生成半导体级硅(A工序)；氯硅烷分离工序，其中，从来自前述A工序的流出气体，分离氢和氯硅烷(B工序)；歧化工序，其中，使由前述B工序获得的低沸点硅烷成分和四氯硅烷的混合物流通到氯硅烷的歧化固体催化剂层中，生成三氯硅烷的比率增大的混合物(C工序)；三氯硅烷分离工序，其中，将由前述C工序得到三氯硅烷的比率增大的混合物进行蒸馏精制，得到三氯硅烷(D工序)；以及回收工序，其中，将在前述D工序得到的三氯硅烷的一部分转换成太阳能电池用硅，进行回收(E工序)。
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