[发明专利]用于晶片型件的液体处理的装置及方法有效
| 申请号： | 200680017872.2 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101208772A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 安德烈斯·巴迪;麦克·布鲁格;马可斯·吉盖契尔 | 申请（专利权）人： | SEZ股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 用于湿式处理具有第一表面平面W1、第二表面平面W2以及边缘表面的晶片型件的限定外围边缘区域的装置及方法。该装置包括用于保持晶片型件的支撑体；用于将液体施加到不面对支撑体的晶片型件的所述第一表面平面W1液体施加方法，其用于将至少部分环绕晶片型件的边缘表面的所述液体朝面对支撑体的第二表面平面W2引导从而弄湿至少边缘表面的连接到支撑体的液体引导件，其中所述液体引导件具环状形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 液体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于湿式处理具有第一表面平面W1、第二表面平面W2以及边缘表面的晶片型件的限定外围边缘区域的装置，该装置包括：1.1支撑体，用于保持晶片型件；1.2液体施加装置，用于将液体施加到不面对该支撑体的该晶片型件的所述第一表面平面W1，以及1.3连接到该载体的液体引导件，用于将至少部分环绕该晶片型件的边缘表面的所述液体朝面对该载体的该第二表面平面W2引导，从而弄湿至少边缘表面，其中所述液体引导件具环状的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
