[发明专利]具有BPSG膜和SOD膜的基板的蚀刻液有效
| 申请号： | 200680017912.3 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101180712A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 板野充司;渡边大祐 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供利用等速度或接近其的速度对由低温化处理制造的超微细器件的无退火的BPSG膜和热氧化膜以及无退火的SOD膜和热氧化膜进行蚀刻的蚀刻液、蚀刻方法和蚀刻处理物。具体地提供一种蚀刻液，其含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 bpsg sod 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液，其特征在于，含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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