[发明专利]形成小型紧密间隔特征阵列的方法有效
| 申请号： | 200680017977.8 | 申请日： | 2006-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101180708A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 米尔柴佛·阿巴契夫;居尔泰基·桑德胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示形成供集成电路中使用的小型密集间隔的孔或柱阵列的方法。可结合间距减小技术及使用各种图案转移和蚀刻步骤来产生密集堆积的特征。可结合间距减小技术及使用常规光刻步骤来形成可合并成单个层的交叉伸长特征的叠加的、间距减小的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 小型 紧密 间隔 特征 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在阵列中形成特征的方法，其包括：减小一列第一光可界定线的间距以形成列图案；以及减小一行第二光可界定线的间距以形成行图案，所述行图案与所述列图案交叉，所述行图案具有行线和行间隔，所述行线遮掩所述下伏列图案的未暴露部分，且所述行间隔留下所述下伏列图案的暴露部分，所述交叉的列与行图案包括具有第三图案的组合掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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