[发明专利]固体摄像装置的制造方法、固体摄像装置及摄像机无效
申请号: | 200680018440.3 | 申请日: | 2006-05-10 |
公开(公告)号: | CN101185165A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 稻叶雄一;笠野真弘 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/20;G02B5/28;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在形成构成固体摄像装置的多层膜干涉滤光片之际,首先,在层间绝缘膜(304)上依次层叠二氧化钛层(401)、二氧化硅层(402)、二氧化钛层(403)及分隔层(404),形成下位膜。接着,测量下位膜的反射率特性而特定下位膜的膜厚,若偏离了设计值,则改变分隔层(404)及作为上位膜的二氧化钛层(407、409)和二氧化硅层(408、410)的膜厚。按照该改变来蚀刻分隔层(404)而调整膜厚,在其上形成上位膜。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 摄像机 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置的制造方法,其是利用分隔层被第一λ/4多层膜和第二λ/4多层膜夹持而成的多层膜干涉滤光片来对入射光进行滤光的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:形成第一λ/4多层膜的工序;在第一λ/4多层膜上形成分隔层的工序;测量由第一λ/4多层膜和分隔层构成的膜的反射率特性,特定膜厚的工序;形成第二λ/4多层膜的工序,其中,若特定的膜厚小于设计值则使第二λ/4多层膜的膜厚大于设计值,若特定的膜厚大于设计值则使第二λ/4多层膜的膜厚小于设计值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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