[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200680019325.8 申请日: 2006-05-26
公开(公告)号: CN101189682A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 朝内升;大塚荣太郎 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;B41J2/175;B41J29/38
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 柳春雷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 当输入的写入数据为存储阵列(100)的现有数据的值以上的值时,半导体存储装置(10)允许对存储阵列(100)写入所输入的写入数据。具体来说,增量控制器(150)从存储阵列(100)中读出现有数据,并与锁存于8位锁存寄存器(170)中的写入数据进行比较。当写入数据的值为现有数据的值以上时,增量控制器(150)向读/写控制器(140)输出写入允许信号(WEN1),对存储阵列(100)执行锁存于8位锁存寄存器(170)中的写入数据的写入。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:顺序存取的非易失性的存储阵列,具有规定的地址单位的写入限制保存地址,该写入限制保存地址保存具有值增大的特性的数据;写入数据保持模块,以规定的地址单位保持应写入所述写入限制保存地址中的写入数据;数据写入模块,以所述规定的地址单位向所述写入限制保存地址写入所述保持的写入数据;读出模块,读出保存于所述存储阵列的所述写入限制保存地址中的现有数据;判定模块,判定所述保持的写入数据的值是否为所述读出的现有数据的值以上的值;以及控制部,当所述写入数据的值小于所述现有数据的值时,不执行由所述写入模块对所述存储阵列的所述写入限制保存地址进行的所述写入数据的写入。
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