[发明专利]包括工件和工件之间的导电构件的电子装置无效
| 申请号： | 200680019671.6 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101189725A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | J·王;G·俞 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子装置包括含有电子组件的第一工件以及含有导体(762)的第二工件，该电子组件包括电极(62)和有机层(54)。电子装置还可包括将电极(62)和导体(762)电连接的导电构件(1022)，其中导电构件(1022)允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其结合。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 工件 之间 导电 构件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包括：第一工件，包括第一电子组件，所述第一电子组件包括第一电极和第一有机层；第二工件，包括第一导体；以及第一导电构件，电连接到所述第一电极和所述第一导体，其中所述第一导电构件允许所述电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或进行上述操作的任意组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
