[发明专利]局部化SOI上方的无电容器DRAM有效
| 申请号： | 200680020345.7 | 申请日： | 2006-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101253622A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 苏拉·马修;吉格伊什·D·特里维迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L29/78;H01L27/12;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在局部化绝缘体上硅上方形成无电容器DRAM的方法，其包含以下步骤：提供硅衬底(10)；以及在所述硅衬底内界定硅柱(16)阵列。在所述硅衬底(10)的至少一部分顶部且在所述硅柱(16)之间界定绝缘体层(18)。在所述绝缘体层(18)顶部所述硅柱(16)周围界定绝缘体上硅层(22、24)，且在所述绝缘体上硅层(22、24)内部和上方形成无电容器DRAM(26－40)。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 soi 上方 电容器 dram | ||
【主权项】：
1.一种在局部化绝缘体上硅上方形成无电容器DRAM的方法，所述方法包含：提供硅衬底；在所述硅衬底内界定硅柱阵列；在所述硅衬底的至少一部分顶部且在所述硅柱之间界定绝缘体层；在所述绝缘体层顶部所述硅柱周围界定绝缘体上硅层；以及在所述绝缘体上硅层内部和上方形成无电容器DRAM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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