[发明专利]用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法有效
| 申请号： | 200680022726.9 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101208795A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·云林 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/765 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在第一存取晶体管构造(206)与第二存取晶体管构造(208)之间形成具有接地栅极的隔离晶体管(240)以提供存储器装置的所述存取晶体管构造之间的隔离。在实施例中，所述存取晶体管构造是凹进存取晶体管。在实施例中，所述存储器装置是DRAM。在另一实施例中，所述存储器装置是4.5F2 DRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 4.5 f2 动态 随机存取存储器 单元 具有 接地 栅极 沟槽 隔离 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包含：衬底，其具有第一表面；多个存储器单元，其以某一图案排列在所述衬底上，其中所述多个存储器单元包括电荷存储装置和经形成以便延伸到所述衬底中的凹进存取装置，其中所述凹进存取装置在所述衬底中诱发耗尽区且进一步在所述衬底内所述凹进存取装置的凹进周边周围界定电流流动路径；多个隔离结构，其形成在所述衬底中，以便将所述多个存储器单元彼此隔离，其中所述多个隔离结构包含经形成以便延伸到所述衬底中的凹进存取装置，其中所述多个隔离结构在所述衬底中诱发第二耗尽区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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